Новые архитектуры и материалы должны позволить Intel, по крайней мере, в течение ближайших нескольких лет увеличить производительность процессоров в соответствии с так называемым законом Мура, хотя компания официально не подтверждает пока информацию, предоставляемую независимыми специалистами.
Intel в настоящее время имеет в своем ассортименте микросхемы котрые производятся с использованием технологии 14 нм. Также известно, что компания готовит к выходу на рынок системы, изготовленные с использованием технологии 10 нанометров, что должно произойти в конце этого или в начале 2016 года. Этот параметр говорит о том, что самый маленький элемент, находящийся на этом чипе имеет размер 10 нанометров. Поэтому такой микропроцессор сможет содержать больше транзисторов производимых по технологии 14 или 20 нанометров, и одновременно быть более энергоэффективными.
Однако ученые считают, что в какой-то момент закон Мура перестанет действовать, так как размеры основных элементов, размещаемых на микросхеме невозможно бесконечно уменьшать. По прогнозам минимальный размер будет 7 нанометров. Предполагается, что первые микросхемы производимые с использованием технологии 7 нанометров могут появиться на рынке уже в 2017 или 2018 году.
В этот момент стоит вспомнить, что говорит закон Мура, который был провозглашен 50 лет назад. Так вот, по его словам, количество транзисторов, размещаемых на определенной поверхности блока будет удваивать примерно каждые два года. Это не физический закон, а только прогноз ожидаемого развития технологии. Уже в момент возникновения этого закона было известно, что оно не будет действовать бесконечно, потому что размеры транзисторов не будет дальше уменьшаться, когда приблизятся они к размерам атомов. 50 лет назад это были очень отдаленные перспективы, а в настоящее время они все быстрее и быстрее приближается.
Пока удается все же держать темп развития технологий, который предусмотрел Гордон Мур. Большую долю имеет в этом Intel,компания принадлежит к числу крупнейших в мире производителей интегральных схем.
Компания является разработчиком нескольких важных технологий, благодаря которым удавалось изготавливать микросхемы следующего поколения, которые отвечают требованиям, предъявляемым не только закон Мура, но и экономики. Intel разработал, в частности, особый тип кремния (так называемые strained silicon, т. е. кремний, имеющий специальную растягивающуюся структуру), металлические ворота high-k или архитектуры 3D, в которой отдельные элементы, находящиеся на блоке расположены слоями один на другой.
В настоящее время Intel работает над новым видом материала, который позволяет производить интегральные схемы, характеризующиеся еще большей плотностью элементов. По крайней мере, так утверждает Дэвид Kanter (аналитик Linley Group), который недавно опубликовал статью, подробно описывающую этот вопрос.
По его словам это смесь, состоящая из кремния, а также таких материалов, как германий или индий, галлий и мышьяк. Это все элементы, находящиеся в III-V группе таблицы химических элементов. Это важно, потому что многие ученые считают, что именно материалы, принадлежащие к этим группам, могут в будущем заменить кремний, так как они являются очень хорошими проводниками электронов. Однако в начале послужат для создания материалов, в состав которых войдет также кремний. Что интересно, Intel используется для создания некоторых своих микросхем столь экзотический материал, как hafnium, используя его вместо кремния.
Кроме того, Intel разработала систему следующего поколения, в которой применяются шлюзы, основанные на новой структуре, которой дали рабочее название quantum-well FET (QWFET). В структуре этой системы электроны перемещаются между материалами, в состав которых входят элементы с III-V группы.
