SK Hynix приступила к массовому производству памяти DRAM нового поколения

SK Hynix объявила, что начала массовое производство памяти DRAM в технологическом процессе 20 нм. Тем самым компания стала вторым, после Samsung, предприятием из этого сегмента, который использует такую технологию. Одновременно сообщаются некоторые сведения о планах, связанных с чипами 3D NAND flash.

0
92

Samsung уже с марта прошлого года использует технологический процесс 20 нм в массовом производстве памяти DRAM. И вот теперь и SK Hynix, главный конкурент Корейцев, имеет такую возможность. Представители компании утверждают, что введение новой литографии не было легкой задачей, но нам посоветовали справиться со всеми проблемами. SK Hynix уже отослал тестовые образцы продукции для своих клиентов и начал массовое производство.

Еще одним важным объявлением является подготовка 36-слойных чипов 3D NAND flash. По словам президента компании SK Hynix, макеты будут в небольшом количестве доступны еще в этом году. В случае 48-слойной памяти предполагаемый старт производства был назначен на 2016 год, но это ранний срок, так что не исключено, что чипы появятся в продаже только в 2017 году.

Президент заявил также, что состояние рынка DRAM в данный момент сложное. Он отметил, что плохая ситуация возникает, прежде всего, в сегменте ПК, немного лучше, в случае мобильных устройств. Компания SK Hynix ожидает дальнейшего снижения цен, но отмечает одновременно, что она к этому готова.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ